(國立交通大學終身講座教授施敏。圖/交大提供)
今年全球意外飽受新冠肺炎病毒肆虐,人們生活行動與生命受到前所未有的威脅,生活型態大改變,在家工作、遠距教學、線上學習與會議在全世界盛行,紛紛被迫透過手機、平板電腦、筆記型電腦等電子產品來溝通。這些能在疫情期間發揮作用的電子產品,都需用到「浮閘記憶體」。
浮閘記憶體(floating-gate)技術歸功世界級大師-國立交通大學終身講座教授施敏所發現的「浮閘記憶體效應」。國際電機電子工程師學會(IEEE)近期罕見以大篇幅首度介紹這技術對全球產業的貢獻,致使施敏大師再引起矚目。
施敏於1963年進入知名研發重鎮貝爾實驗室(Bell Labs)工作,他與韓裔同事姜大元於1967年共同發現非揮發性的「浮閘記憶體效應」(Floating-gate nonvolatile semiconductor memory effect)。從這個發現的基本概念,衍生出多種記憶體,其中,NAND Flash快閃記憶體為目前所有電子科技產品的核心元件。
國際電機電子工程師學會是世界上最大的專業技術組織,日前於電子元件學會新聞報以「微電子技術的精髓:從浮閘和電荷缺陷概念到兆位元快閃記憶體」為題,大篇幅以圖文並茂闡述施敏與姜大元的重要技術發現。文中指出50多年來,浮閘記憶體經歷多次的架構更改,同時也從小量產品發展到大規模生產,透過眾多電子科技產品,進入全球大眾市場,影響人類生活深遠。
新冠肺炎疫情加速全球企業數位轉型,迎接5G時代來臨,半導體繼智慧型手機、平板電腦、數位電視、數位相機到車用定位系統等電子產品之後,進而發展人工智慧、大數據、雲端運算、物聯網、機器人、自駕車及固態硬碟等順勢崛起,被視為第四次工業革命開始,而此次革命最重要之驅動力之一就是浮閘記憶體。
預期對這具備非揮發性、體積小、低耗電、讀寫快速等特性的浮閘記憶體需求將更增多,並從平面(2D)走向堆疊立體化(3D),浮閘記憶體不僅影響人們的過去與現在,對未來的影響可望與日俱增。