在國際半導體電荷存儲技術上，「寫入速度」、「非易失性」一直難兩全，但上海復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬的研究團隊，卻完成顛覆性的二維半導體準非易失性儲存原型器件，不僅讓隨身碟的數據寫入加快1萬倍，資料儲存時間更可自行決定。
目前半導體電荷儲存技術主要有兩類，第一是「易失性存儲」，如電腦內存，只要失去電源後，數據會立即消失；第二是「非易失性存儲」，像民眾常用的USB隨身碟，寫入數據後無需額外能量，就能保存10年。前者可在幾奈秒內寫入數據，後者則需幾微秒到幾十微秒，才能將數據保存下來。
數據儲存時間可自定
新華社指出，上海復旦的教授張衛、周鵬團隊，成功研發具顛覆性二維半導體準非易失存儲原型器件，不僅開創第3類儲存技術，寫入速度也比USB隨身碟快1萬倍；此外，數據儲存時間更可自行決定。
上海復大團隊研發的新型電荷儲存技術，不僅可在10奈秒寫入數據，也能按需要定製「10秒至10年」的可調控數據準非易失性。簡單來說，這種特性在高速存取數據時，不僅降低儲存功耗，也能實現數據達有效期限後，就自然消失，一舉解決傳輸、保密的困擾。
電子易進難出更穩定
為研發兩種性能兼得的新型電荷儲存技術，該團隊選擇多重二維半導體材料，並堆疊構成半浮柵結構晶體管。其中二氧化鉬和二硒化鎢，就像隨手可關的門，讓電子易進難出，控制電荷輸送；氮化硼是絕緣層，像密不透風的牆，使電子難以進出；而二硫化鉿則為儲存層，用來保存數據。
周鵬補充，只要調整「門」和「牆」的比例，就能實現「寫入速度」和「非易失性」的調控。
此外，二維材料也可獲單層具完美介面特性的原子級別晶體。這對積體電路物件的微縮、提高集成度、穩定性，及開發新型儲存器都有幫助，是降低儲存器功耗和提高集成度的新途徑。（記者／黃冠智）